J. Solid State Chem.

Sb添加Mg2Siを異なるMg分圧でアニールした際のMg量とキャリア濃度を明らかにしたD3加藤さんの論文がJ. Solid State Chem.に掲載されました。おめでとうございます。

日本セラミックス協会第37回エレクトロセラミックス研究討論会

10/12〜10/13にかけて川崎市で行われた日本セラミックス協会第37回エレクトロセラミックス研究討論会で、M1の岡本君が以下の発表を行い、最優秀賞を受賞しました。おめでとうございます。

セッション発表者題目
ポスター岡本一輝, 山田智明, 坂田修身, 清水荘雄, 舟窪浩, 吉野正人, 長崎正雅(111)正方晶PbZr0.35Ti0.65O3ナノロッドのサイズ制御による圧電特性の増大(ポスター発表)

第14回日本熱電学会学術講演会

9/11〜9/13に大阪大学で行われた第14回日本熱電学会学術講演会で、D3の加藤さんが以下の発表を行い、優秀講演賞を受賞しました。おめでとうございます。

セッション発表者題目
4B シリサイド加藤大輔, 岩崎航太, 吉野正人, 山田智明, 長崎正雅Sb-doped Mg2Siにおける高キャリア濃度の実現とその熱力学的考察(口頭発表)

第78回応用物理学会秋季学術講演会

9/5〜9/8に福岡国際会議場他で行われた第78回応用物理学会秋季学術講演会で、D1の近藤君が強誘電体薄膜の電気光学効果の理論計算、M2の松尾君が新規HfO2基強誘電体薄膜の電気熱量効果について発表を行いました。

IUMRS-ICAM 2017

8/27〜9/1に京都大学で行われたThe 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)で、M2の平井君が金属多結晶を用いたスパッタリング収率の結晶方位依存性について発表を行いました。

(10/17追記)
奨励賞を受賞しました。おめでとうございます。

セッション発表者題目
Innovative material technologies utilizing ion beams (D-1)H. Hirai, T. Nagasaki, M. Yoshino, and T. YamadaCrystallographic Orientation Dependence of Sputtering Yield of FCC Metals Determined using Polycrystalline Targets(ポスター発表)

プレスリリース

東京工業大学(舟窪浩先生)、高輝度光科学研究センター(今井康彦先生)、物質・材料研究機構(坂田修身先生)、ニューサウスウエールズ大学(Nagarajan Valanoor先生)との共同研究成果がScientific Reportsに掲載され、プレスリリースされました。強誘電体薄膜の電場に対するドメインの変化は、40ナノ秒以下の時間でも起きることが実験的に明らかになりました。

In-situ Observation of Ultrafast 90° Domain Switching under Application of an Electric Field in (100)/(001)-oriented Tetragonal Epitaxial Pb(Zr0.4Ti0.6)O3 Thin Films, Sci. Rep. 7, 9641 (2017).

プレスリリース:圧電体の複雑な結晶構造変化の高速応答を直接測定 ―IoTセンサーの高性能化に期待―

M2中間発表会&BBQ

7/31にM2中間発表会が行われました。中島君、平井君、松尾君が発表を行い、平井君が優秀発表賞を受賞しました。おめでとうございます。

翌日、お疲れ様BBQを行いました。

Young Japanese Travel Support

D1の近藤君が米国サンタフェで行われる国際学会18th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric MaterialsのYoung Japanese Travel Supportを頂くことになりました。おめでとうございます。

オープンスクール

7/30にでんきの科学館で行われたオープンスクールで、熱電・圧電変換の実験と、超伝導体・反磁性体の実験を、参加された児童の皆さんと一緒に行いました。