プレスリリース

東京工業大学(舟窪浩先生)、高輝度光科学研究センター(今井康彦先生)、物質・材料研究機構(坂田修身先生)、ニューサウスウエールズ大学(Nagarajan Valanoor先生)との共同研究成果がScientific Reportsに掲載され、プレスリリースされました。強誘電体薄膜の電場に対するドメインの変化は、40ナノ秒以下の時間でも起きることが実験的に明らかになりました。

In-situ Observation of Ultrafast 90° Domain Switching under Application of an Electric Field in (100)/(001)-oriented Tetragonal Epitaxial Pb(Zr0.4Ti0.6)O3 Thin Films, Sci. Rep. 7, 9641 (2017).

プレスリリース:圧電体の複雑な結晶構造変化の高速応答を直接測定 ―IoTセンサーの高性能化に期待―