プレスリリース

東京工業大学（舟窪浩先生）、高輝度光科学研究センター（今井康彦先生）、物質・材料研究機構（坂田修身先生）、ニューサウスウエールズ大学（Nagarajan Valanoor先生）との共同研究成果がScientific Reportsに掲載され、プレスリリースされました。強誘電体薄膜の電場に対するドメインの変化は、40ナノ秒以下の時間でも起きることが実験的に明らかになりました。

In-situ Observation of Ultrafast 90° Domain Switching under Application of an Electric Field in (100)/(001)-oriented Tetragonal Epitaxial Pb(Zr_0.4Ti_0.6)O₃ Thin Films, Sci. Rep. 7, 9641 (2017).

プレスリリース：圧電体の複雑な結晶構造変化の高速応答を直接測定 ―IoTセンサーの高性能化に期待―