年: 2025年

不揮発性メモリ材料として期待される新規強誘電体薄膜のレビュー論文がMRS Bull.に掲載されました。

9/7-10にかけて名城大学天白キャンパスで行われた第86回応用物理学会秋季学術講演会にて、M1の望月さんがSnS/SnSe人工超格子の成長について、同 高橋さんがPZT膜の屈折率のメモリスティブ特性について、同 澤木さんがcドメインBaTiO₃薄膜のEO効果について、M2の三高さんが高速co-PLD法によるAlScN薄膜のシード層導入効果について、同 名田さんがY₂Ti₂O₇誘電体薄膜へのSc,La共添加について、同 HaoさんがPZT膜のEOメモリスティブ特性について発表を行いました。

AlScN薄膜の極性のSc量依存性についてのM2 Liuさんの論文がJpn. J. Appl. Phys.に掲載されました。おめでとうございます。

ハフニア基強誘電体薄膜のチューナブル誘電・光学特性と電界下時間分解XRDについての記事が書籍に掲載されました。

PZT薄膜のEO特性の組成依存性についての近藤先生の論文がJpn. J. Appl. Phys.に掲載されました。おめでとうございます。

米国ペンシルベニア州立大学のHaley Jonesさんが来日し、当研究室で3ヶ月研究を行いました。

Hf_0.5Zr_0.5O₂薄膜のEO特性の膜厚依存性について、3 nmまでの応答を観測したD2のDastgirさんの論文がAppl. Phys. Lett.に掲載されました。おめでとうございます。

6/11-14にかけて京都産業会館ホールで行われた強誘電体応用会議FMA-42にて、M2の劉さんがITO上AlScN薄膜の極性について、同 三高さんがマスクレスコンビナトリアルPLD法によるAlScN薄膜の作製について発表を行いました。

招へい研究員でおられたMeng博士が当時取り組まれたMg, Li添加ZnO薄膜の電気光学効果についての論文がAppl. Phys. Lett.に掲載されました。おめでとうございます。

4/30に、米国・ノースカロライナ州立大学のJong Eun Ryu先生が来学され、強誘電体のXPCS測定の研究について講演をしていただきました。

講演題目：Investigating Domain Dynamics in Ferroelectric Materials Using In-Situ X-Ray Photon Correlation Spectroscopy